第一章 单元测试
1、判断题:
电磁力是原子间作用力的主要来源形式。
选项:
A:错
B:对
答案: 【对】
2、判断题:
均匀形核与非均匀形核的临界晶核尺寸是相等的。
选项:
A:错
B:对
答案: 【对】
3、判断题:
晶体的空间点阵是无限多种,但晶体结构是有限的。
选项:
A:对
B:错
答案: 【错】
4、判断题:
面心立方晶体结构与密排六方晶体结构的致密度和配位数均相等。
选项:
A:对
B:错
答案: 【对】
5、多选题:
sigma键的特点是()
选项:
A:键能相对较强
B:键长相对较短
C:成键原子的电子云以头碰头的方式
D:成键原子的电子云以肩并肩的方式
答案: 【键能相对较强;键长相对较短;成键原子的电子云以头碰头的方式】
6、多选题:
碳在γ-Fe一般存在于Fe的八面体间隙中,理论是可以溶解的碳的质量分数为( ),实际中碳在Fe中的最大溶解度的质量分数为( )
选项:
A:2.11%
B:30%
C:17.6%
D:50%
答案: 【2.11%;17.6%】
7、多选题:
与晶面族{123}等价的晶面包括以下哪些?
选项:
A:(132)
B:(123)
C:(321)
D:(312)
答案: 【(132);(123);(321);(312)】
8、单选题:
金属的塑性较好,从微观角度讲主要是因为()
选项:
A:金属键中的自由电子被所有原子共享
B:位错的形成和运动
C:晶面之间容易发生滑移
D:金属原子易于运动
答案: 【金属键中的自由电子被所有原子共享】
9、单选题:
立方晶系中,晶胞中原子数最多的是哪一种点阵类型?( )
选项:
A:面心立方
B:体心立方
C:底心立方
D:简单立方
答案: 【面心立方】
第二章 单元测试
1、单选题:
晶体缺陷不包括()
选项:
A:二维面缺陷
B:一维线缺陷
C:三维体缺陷
D:0维点缺陷
答案: 【三维体缺陷】
2、判断题:
位错是由晶体的两个原子面错排导致的。
选项:
A:对
B:错
答案: 【错】
3、判断题:
伯氏矢量可用来表征位错的方向。
选项:
A:错
B:对
答案: 【错】
4、判断题:
刃型位错的滑移面是由位错线与柏氏矢量所构成的平面,且是惟一的。
选项:
A:对
B:错
答案: 【对】
5、多选题:
关于位错的攀移的描述中正确的是():
选项:
A:螺型位错不会发生攀移
B:攀移比滑移需要的能量高
C:刃型位错存在攀移运动
D:攀移是位错滑移运动的结果
答案: 【螺型位错不会发生攀移;攀移比滑移需要的能量高;刃型位错存在攀移运动】
6、多选题:
位错的交割带来的影响有()
选项:
A:两条位错线交割后,经常产生一段曲折线段
B:位错的交割又可细分为割阶与扭折
C:影响材料的强度等性能
D:影响位错进一步的运动
答案: 【两条位错线交割后,经常产生一段曲折线段;位错的交割又可细分为割阶与扭折;影响材料的强度等性能;影响位错进一步的运动】
7、判断题:
研究位错的应变场应同时包括位错中心区和非中心区。
选项:
A:对
B:错
答案: 【错】
8、判断题:
位错的应变能总是与材料的弹性模量成正相关关系。
选项:
A:错
B:对
答案: 【对】
9、单选题:
关于位错的线张力的描述错误的是():
选项:
A:线张力与弯曲半径r成反比
B:线张力与材料的泊松比成反比
C:线张力与材料弹性模量成正比
D:线张力与伯氏矢量的模的平方成正比
答案: 【线张力与材料的泊松比成反比】
10、多选题:
柯氏气团的作用包括():
选项:
A:提高了位错的稳定性
B:使位错线运动变得困难
C:导致晶体的塑性变形能力(屈服强度)提高
D:降低了晶体的应变能
答案: 【提高了位错的稳定性;使位错线运动变得困难;导致晶体的塑性变形能力(屈服强度)提高;降低了晶体的应变能】