第一章 单元测试
1、判断题：
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3V
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
2、判断题：
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0V
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
3、单选题：
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（ ）V
选项：
A:0
B:3
C:2
D:1
答案: 【0】
4、单选题：
电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（ ）V
选项：
A:2.1
B:2.3
C:2.4
D:2.2
答案: 【2.3】
5、判断题：
稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
6、判断题：
稳压管的正常工作区是反向区
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
7、判断题：
二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
8、判断题：
扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
9、判断题：
当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
10、判断题：
在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
第二章 单元测试
1、单选题：
共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（ ）
选项：
A:1
B:2
C:4
D:3
答案: 【1】
2、判断题：
共集电极放大电路的输入电阻比较高
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
3、判断题：
共集电极放大电路的输出电阻比较低
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
4、判断题：
共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
5、判断题：
直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
6、判断题：
不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正确吗
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
7、判断题：
若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
8、判断题：
由于ICBO对温度非常敏感，当温度升高时，ICBO增高很快，所以ICEO增加得也很快，IC也就相应增加
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
9、判断题：
Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。3脚为B极，1脚为E极，2脚为C极
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
10、判断题：
Ul＝8V，U2＝2V，U3＝2.7V，为硅管。3脚为B极，2脚为E极，1脚为C极
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
